一·設備用途：

1. 提純金屬、半導體、有機和無機的化學材料

2. 區熔致勻（使一種欲摻入的雜質十分均勻地分布在整個單晶體中）

3. 焊接和測量液體中的擴散率等。

二·設備優點：

1·區熔加熱爐采用往復區熔的方式，閉環溫度控制，可靠的控制熔區的寬度問題；生長室的設計成功解決生長室的污染問題，

2·將加熱及保溫材料均設置在生長腔室外部，采用高純石英作為腔室，同時抽真空；將流動高純氫氣通入腔室，去除腔室中的微量氧，解決氧化的問題；

3·開發高柔性的控制軟件，采用觸摸屏進行操作，任意設置區熔的溫度，區熔的速度及次數。

三·主要技術參數

1.設計加熱溫度：     1100℃ 使用溫度：≤1000℃(主加熱采用紅外測溫）

2.設備功率：          10Kw±10%  三相380v 50Hz（三相五線制）

3.超高頻感應電源功率：  6Kw±10%  單相220v 50Hz（三相五線制）

4.主加熱方式：        高頻感應加熱

5.設計前配置輔助加熱：采用電阻加熱 加熱功率≤1kw 溫度范圍≤500℃，溫度可控可設定。
4.冷態極限真空度：   ≤5Pa

5·石墨舟尺寸：Ф50*400mm（內徑*長度，半圓柱）（根據實際微調整）裝載量（鍺2kg）

6·石英管（腔室）尺寸：￠60*1000mm 

7·加熱方式：        高頻感應加熱

9·區熔熔區長度及速度：400mm  位移行程 ≥500mm

慢速：0.1-10mm/h（伺服控制）精度0.01mm速度可設定

快速：50-200mm/min（伺服控制）可根據客戶需求設計

10.爐內充氣壓力：    ≤0.03MPa（氬氣  氫氣）

11·充氣系統：      自動充放氣（配置氫氣點火裝置）

12.區熔溫區：       單溫區 一區主控

13.石英管法蘭連接方式：真空水冷密封法蘭形式，留KF25真空接口，法蘭材質304不銹鋼

14.控制方式：觸摸屏+plc